近日，全球半导体器件领域的“奥林匹克盛会”——IEEE国际电子器件大会(IEDM)2025年入选论文名单公布。本次会议，中国力量表现尤为亮眼，论文总数再创新高，充分展现了我国在半导体前沿技术研发上的持续创新能力。

IEDM学术高地，中国科研持续突破

IEDM在国际半导体技术界享有崇高学术地位和广泛影响力，是英特尔、IBM、TSMC、IMEC等产业巨头和顶尖研发机构报告其最新研究成果和技术突破的主要平台。根据已公布的信息，北京大学以21篇论文的绝对优势蝉联全球第一，同时，中国内地机构共计入选67篇论文，科研力量呈现百花齐放态势，中国科学院微电子研究所、清华大学、南京大学等高校院所均贡献了重要研究成果。

两项尖端技术领跑，长鑫打通“学术-产业”转化路，位列第一

在企业阵营中，长鑫科技(CXMT)成为中国半导体产业的“高光代表”——以2篇论文入选的成绩领跑国内企业，聚焦的3D FeRAM(铁电存储器)与新型多层堆叠DRAM两大技术方向，均直击未来存储领域核心痛点。

技术研究上，长鑫科技实现了“双首次”：在3D FeRAM领域，首次达成单片集成的堆叠式铁电存储，为低功耗、非易失性存储应用筑牢技术根基；在DRAM领域，展示全球首个BEOL集成的多层DRAM架构，成功为突破传统DRAM的密度与性能瓶颈开辟新路径。DRAM产品在存储芯片领域本就相较Nand产品具有更高的技术要求和科研难度，长鑫科技两项技术研究在国际学术舞台获得认可，将进一步拉开与存储产业内其他厂商的竞争优势，通过技术硬实力锁定未来竞争力。

这一系列成果标志着中国半导体产业在前沿技术探索中，正从“跟跑”加速迈向“并跑”，未来部分领域甚至实现“领跑”。而长鑫科技的实践，更为国内企业打通“学术论文到产业成果”的转化通道提供了可借鉴的范本。

夯实基础研发，铸就产业长远竞争力

中国半导体产业的崛起，始终以基础研究为压舱石。IEDM上的亮眼表现，正是国内长期投入科研的集中体现——国家自然科学基金、国家重点研发计划等国家级项目的持续支持，以及国家集成电路产教融合创新平台的搭建，为科研创新提供了坚实保障。

值得关注的是，在技术突破的同时，长鑫科技正积极推进 IPO进程。依托3D FeRAM、多层堆叠DRAM等领先技术加持，其企业投资价值已成为资本市场关注焦点，进一步凸显中国半导体企业“技术+产业”双轮驱动的发展潜力。

从高校学术优势巩固，到企业技术落地加速，本次IEDM清晰展现了中国半导体“产学研”协同并进的格局。这一态势不仅为我国半导体产业在全球竞争中赢得更多主动权，更为行业未来长远发展注入了强劲的确定性。